C3プラズマ支援スパッタ装置
特徴
コスパッタ成膜
2元・3元でのコスパッタによる成膜が可能です。
材料探索に最適
カソードがφ2インチと小さい為、安価な初期費用で材料探索が行えます。
高温成膜
600℃の高温成膜が可能であり、圧電体膜や各種配向膜の試作が行えます。
仕様
メタルターゲットを使用して、酸化膜・窒化膜の成膜が可能です。
対応ガス ；Ar、O2、N2
＊混合ガス対応も可能です。
| size of cathode | φ2in×3（RF） |
|---|---|
| size of substrate（MAX） | 〜φ4in.×1 |
| Sub. Temperature（MAX） | 600℃ |
| Exhaust system | RP,TP |
| Power of Depo（MAX） | RF200W X3 |
| Back Pressure（MAX） | 5.0×10-5Pa |
| Reverse-Sputter | × |
| Base metal material | Al, C, Co, Cr, Cu, Fe, Ge, Hf, In, Mo, Nb, Ni, Re, Si, Ta,Ti, W, Zn, Zr |
| Precious metal material | Au, Pt, Ir, Pd, Rh, Ru, Ag |
| Oxide material | Al2O3, Gd2O3, HfO2, Nb2O5, SiO2, Ta2O5, TiO2, ZnO, ZrO2 |
| Composite oxide material | IZO, ITO |
| Others | APC, APC-AR, APC-TR, APC-SR, APC-GR, AlN, GaN, Si3N4, Al-0.5wt.%Cu, Al-1.0wt.%Si, Al-2at.%Cr, Al-1.0wt.%Si-0.5wt.%Cu |
＊表中には成膜可能な元素例を記載しております。
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