LTS3元スパッタ装置
特徴
LTSタイプ
レジスト材付きウエハへの成膜において、レジスト材が硬化することなく成膜できます。
フィルム膜への成膜も可能です。また、成膜レートが遅いため、極薄膜（数nm）の制御も可能です。
リアクティブスパッタ
メタルターゲットを使用して、酸化膜・窒化膜の成膜が可能です。
対応ガス：Ar、O2、N2 ＊混合ガス対応も可能です。
仕様
微小基板からφ8インチウエハまでの成膜に対応できるため、新素材をデバイス開発ラインへ投入し、自社評価することが可能です。
| size of cathode | φ3in.×3(RF×2，DC×1) |
|---|---|
| size of substrate（MAX） | 〜φ8in.×1 |
| Sub. Temperature（MAX） | 500℃ |
| Exhaust system | RP, TP, CP |
| Power of Depo（MAX） | RF300W X2, DC 250W |
| Back Pressure（MAX） | 7.0×10－5Pa |
| Reverse-Sputter | ○ |
| Base metal material | Al, C, Cr, Fe, Mo, Nb, Ni, Re, Si, Sn, Ta, Ti, W, Zn |
| Precious metal material | Au, Pt, Ir, Pd, Ru, Ag |
| Oxide material | Al2O3, MgO, SiO2 |
| Composite oxide material | ITO |
| Others | TaC |
＊表中には成膜可能な元素例を記載しております。
CONTACT
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リサイクルして新しい製品を製造できますか? - 硝酸Ruの価格と最近の地金相場が知りたいです。
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