高真空8インチスパッタ装置
特徴
均一膜
ロードロックタイプのため、高真空にて成膜が行えます。
また、φ300mmのターゲットを使用することで、均質な膜の供給が可能です。
仕様
基板加熱温度600℃まで対応できます。
高・強誘電体デバイス、各種メモリ配線材料における貴金属電極成膜に最適です。
| size of cathode | φ300×2（RF+DC） |
|---|---|
| size of substrate（MAX） | 〜φ8in.×4（ロードロックタイプ） |
| Sub. Temperature（MAX） | 600℃ |
| Exhaust system | RP, TP |
| Power of Depo（MAX） | DC2000W X 2 , RF2000W |
| Back Pressure（MAX） | 8.0×10－6Pa |
| Reverse-Sputter | × |
| Supttering Targets | Pt, Ru, Al, Cr, Ta, Ti |
＊表中には成膜可能な元素例を記載しております。
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- 受託成膜ではどれくらいのウエハサイズまで成膜可能ですか?
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リサイクルして新しい製品を製造できますか? - 硝酸Ruの価格と最近の地金相場が知りたいです。
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