インターバックスパッタ装置
仕様
φ300SiウエハやFPD用ガラスなどの大型基板への成膜が可能です。
size of cathode | 5inch × 30inch |
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size of substrate(MAX) | 〜370㎜×470㎜(4ホルダー) |
Sub. Temperature(MAX) | 250℃ |
Exhaust system | RP, CP(クライオポンプ) |
Power of Depo(MAX) | DC1500W X2 |
Back Pressure(MAX) | 5.0×10-5Pa |
Supttering Targets | Cr, Cu, Mo,Ta, Ti, ITO, IZO, Ag, APC-TR, APC-AR,APC-CH, APC-SR |
*表中には成膜可能な元素例を記載しております。
*膜厚分布および温度分布は±10%となります。ただし、膜質・成分状況によりこの範囲外となる場合がございます。ご了承ください。
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