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高真空8インチスパッタ装置

特徴

均一膜

ロードロックタイプのため、高真空にて成膜が行えます。
また、φ300mmのターゲットを使用することで、均質な膜の供給が可能です。

仕様

基板加熱温度600℃まで対応できます。
高・強誘電体デバイス、各種メモリ配線材料における貴金属電極成膜に最適です。

size of cathode φ300×2(RF+DC)
size of substrate(MAX) 〜φ8in.×4(ロードロックタイプ)
Sub. Temperature(MAX) 600℃
Exhaust system RP, TP
Power of Depo(MAX) DC2000W X 2 , RF2000W
Back Pressure(MAX) 8.0×10-6Pa
Reverse-Sputter ×
Supttering Targets Pt, Ru, Al, Cr, Ta, Ti

*表中には成膜可能な元素例を記載しております。

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こんな内容もお気軽にお問い合わせください

  • 受託成膜ではどれくらいのウエハサイズまで成膜可能ですか?
    また、何℃までアニールできますか?
  • 使用済みのビート皿があります。
    リサイクルして新しい製品を製造できますか?
  • 硝酸Ruの価格と最近の地金相場が知りたいです。
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